| 型号： | NTMFS4899NFT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NTMFS4899NFT1G PDF |  |
| 产品目录绘图 | SO8 FL |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | NTMFS4899NFT1GOSDKR |